Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Optische Eigenschaften I

HL 4.3: Talk

Monday, March 23, 1998, 11:00–11:15, H13

Herstellung und Charakterisierung von elektrostatischen Exzitonfallen auf der Basis gekoppelter Quantum Well Strukturen — •T. Huber, A. Zrenner, G. Abstreiter, M. Bichler, W. Wegscheider und G. Böhm — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

In elektrisch abstimmbaren gekoppelten Quantum Well Strukturen können langlebige indirekte Exzitonen generiert werden, die eine ausgeprägte Stark-Verschiebung aufweisen. Es wird gezeigt, daß mittels zweier konzentrisch angeordneter Metallelektroden ein elektrostatisch induzierter Einschluß von Exzitonen erreicht werden kann. An derartigen Exzitonfallen wurden ortsaufgelöste Photolumineszenzuntersuchungen bei tiefen Temperaturen durchgeführt. Messungen an verschiedenen Strukturen bestätigen die Ausbildung eines Bandlückengradienten für indirekte Exzitonen. Der Transport von Exzitonen wurde in spannungsabhängigen Experimenten untersucht, in denen die Attraktivität der Falle kontinuierlich verändert wurde. Eine Erhöhung der Photolumineszenzintensität aus dem attraktiven Bereich der Falle wurde nachgewiesen.