Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Optische Eigenschaften I

HL 4.6: Talk

Monday, March 23, 1998, 11:45–12:00, H13

Untersuchung von Interband- und Core-level-Anregungen von Be_xZn_1−xSe mittels VUV-Ellipsometrie — •K. Wilmers¹, T. Wethkamp¹, N. Esser², V. Wagner³, H. Lugauer³, T. Gerhard³, F. Fischer³, W. Richter² und M. Cardona¹ — ¹Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart — ²Institut für Festkörperphysik, TU Berlin — ³Physikalisches Institut, Uni Würzburg

Be_xZn_1−xSe-Schichten (0≤ x≤ 1) wurden bei Raumtemperatur ellipsometrisch im Spektralbereich 2.5 bis 25eV untersucht. Die Schichten wurden mit MBE auf GaAs(100)-Substraten mit Dicken von 200nm bis 800nm gewachsen.

Nach Transport der Proben unter N₂-Atmosphäre wurden die effektiven dielektrischen Funktionen am VUV-Ellipsometer bei BESSY bestimmt. Durch Analyse der systematischen Abhängigkeit der beobachteten Strukturen von der Komposition x gelang eine Zuordnung der optischen Übergänge E₀, E₁, E₁+Δ₁, E₂ und E₀′ anhand des Vergleichs mit ZnSe. Im Spektralbereich oberhalb 11eV konnten Core-level-Anregungen der Zn3d Elektronen beobachtet und deren Übergänge in höhere Leitungsbänder identifiziert werden. Das Oxidationsverhalten von Be_xZn_1−xSe mit verschiedenen Be-Anteilen wurde ebenfalls untersucht.