Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Optische Eigenschaften I

HL 4.7: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:00–12:15, H13

Untersuchung der optischen Eigenschaften von Gruppe-III-Nitriden im Spektralbereich 3 bis 20eV mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •T. Wethkamp¹, K. Wilmers¹, C. Cobet², N. Esser², O. Ambacher³, R. Dimitrov³, W. Richter², and M. Cardona¹ — ¹Max-Planck-Institut f"ur Festk"orperforschung, Stuttgart — ²Institut f"ur Festk"orperphysik, TU Berlin — ³Walter-Schottky-Institut, TU M"unchen

Die Gruppe-III-Nitride GaN und AlN sowie deren Legierung Al_xGa_1−xN zeigen wesentliche Strukturen der dielektrischen Funktion im Vakuum-UV-Spektralbereich, der Ellipsometern mit gew"ohnlichen Lichtquellen nicht zug"anglich ist. Daher sind verl"a"sliche experimentelle Daten "uber h"ohere Interband"uberg"ange bzw. die damit verbundenen optischen Eigenschaften bisher rar. In dieser Arbeit wurden sowohl MBE- als auch MOCVD-gewachsene hexagonale Filme dieser Nitride auf α-Al₂O₃ (0001) untersucht. Unter Verwendung von Synchrotronstrahlung (BESSY) wurden mittels Ellipsometrie die dielektrischen Funktionen im Spektralbereich 3 bis 20eV bestimmt. Diese zeigen wesentlich deutlicher ausgepr"agte Strukturen als k"urzlich ver"offentlichte Reflexionsmessungen [1]. Sie k"onnen aufgrund von Bandstrukturrechnungen weitestgehend Interband"uberg"angen zugeordnet werden. Messungen bei tiefen Temperaturen zeigen insb. f"ur AlN eine ausgepr"agte Feinstruktur am E₀-Gap, deren m"ogliche Ursachen diskutiert werden.

[1] Q. Guo et al., Phys. Rev. B 55(24), R15987 (1997)