Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.10: Talk

Friday, March 27, 1998, 13:45–14:00, H13

Lumineszenz von MBE Al_xGa_1−xN — •M. Steube¹, K. Reimann¹, O. Ambacher² und H. Angerer² — ¹Institut für Physik, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — ²Walter Schottky Institut, Technische Universität München,85748 Garching

MBE gewachsene AlGaN Mischkristalle mit Aluminiumgehalten von 50 bis 85 % wurden mit ein- und zweiphotonenangeregter Photolumineszenz charakterisiert. Die Zweiphotonen-Lumineszenzlinien liegen energetisch unter den entsprechenden Einphotonenresonanzen und haben eine geringere Linienbreite. Die Lumineszenz verschiebt mit zunehmendem Al-Gehalt zu höheren Energien (bis 4.8 eV bei 85 %). Bei Proben mit einem Al-Anteil von 50 bis 60 % ist eine anomale Verschiebung zu kleineren Energien mit zunehmendem Al-Gehalt zu beobachten. Dieses Verhalten kann durch kubische Einschlüsse mit kleinerer Bandlücke erklärt werden.