Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.3: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:00–12:15, H13

Wasserstoff in CdS-Pufferschichten für CIS-Dünnschichtsolarzellen — •M. Weber, J. Krauser, A. Weidinger, J. Bruns und R. Scheer — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Chemisch abgeschiedenes CdS wird für den Heteroübergang von hocheffizienten Dünnschichtsolarzellen auf CuInS₂-(CIS-)Basis benötigt. Bei der Badabscheidung des Materials werden jedoch eine Reihe von Verunreinigungen mit eingebaut, die das Verständnis der Funktion dieser Pufferschicht erschweren. Dieser Beitrag befaßt sich speziell mit der Verteilung von Wasserstoff-Spezies in CdS-Schichten. In unseren Messungen mit Nuclear Reaction Analysis (NRA) zeigt sich ein hoher Wasserstoffgehalt (bis zu 12 at.%), der nur zum Teil durch Verbindungen wie Cd(OH)₂ oder H₂O erklärt werden kann. Zur Identifikation dieser Verbindungen wurden Photoemissions- Experimente (XPS, UPS) durchgeführt. Die Menge des Wasserstoffs steigt deutlich mit zunehmender Reaktionszeit. Das Tiefenprofil des Wasserstoffs in den CdS-Schichten verdeutlicht die Abhängigkeit des Wasserstoff-Einbaus von den Abscheideparametern. Die Auswirkungen dieser Ergebnisse auf die elektro-optischen Eigenschaften von Dünnschichtsolarzellen werden diskutiert.