Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Photovoltaik V
HL 40.6: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 12:45–13:00, H13
Dünnschichten auf der Basis von CuInS2:Ga — •E. Garcia Villora, R. Klenk und M. Ch. Lux-Steiner — Hahn Meitner Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin
Der direkte Halbleiter CuInS2 mit Chalkopyritstruktur eignet sich wegen seiner physikalischen Eigenschaften (ideal zum Sonnenspektrum bei AM1.5 passende Energiebandlücke von 1.5 eV und Absorptionkoeffizient > 104 cm−1) sehr gut für die Photovoltaik. Im Experiment begrenzt die niedrige Leerlaufspannung den Wirkungsgrad. Durch die Beigabe von Gallium zu CuInS2 konnte eine Verbesserung der Leerlaufspannung erzielt werden. Dabei bleibt im elektrisch aktiven Teil der Zelle die Bandlücke unverändert. Anhand der Ergebnisse aus der Charakterisierung von Filmen und Heterostrukturen wurden Modelle für den Einbau von Ga und dessen Einfluß auf die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften entwickelt.