Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.9: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 13:30–13:45, H13

Charakterisierung von hocheffizienten rückseitenkontaktierten Silicium-Solarzellen — •J. Dicker, J.O. Schumacher, S.W. Glunz und W. Warta — Fraunhofer-ISE, Oltmannsstrasse 5, D 79100 Freiburg

Rückseitenkontaktierte Silicium-Solarzellen mit Wirkungsgraden über 20% werden mit Hilfe von 2D- und 3D-Simulationen charakterisiert. Die optischen Eigenschaften der mit ”Random Pyramids” texturierten Oberfläche können mit dem Programm RAYN durch Strahlverfolgung in einem Symmetrieelement mit einer aufrechten Pyramide angenähert werden. Die elektrische Simulation wird mit dem Halbleitersimulationsprogramm DESSIS durchgeführt, wobei Verluste durch den Metallwiderstand am Kontaktgitter, Rekombination am Rand der Zelle und ”Non-Generation-Losses” ebenfalls berücksichtigt werden. Dies erlaubt eine mit den Messwerten übereinstimmende Beschreibung der Dunkel- und Hellkennlinie, der serienwiderstandskorrigierten IV-Kennlinie und der spektralen Empfindlichkeit. Das Modell liefert eine Aufschlüsselung der optischen und elektrischen Verluste. Optimierungen werden vorgestellt.