Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 42: Unkonventionelle Halbleiter
HL 42.4: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 12:15–12:30, H17
Untersuchungen am Si+/SiO2 System — •Thomas Dittrich1, Hermann Franz2, Toni Schuster1, Erich Hechtl1, Horia Porteanu3, Vesselinka Petrova-Koch1 und FRederik Koch1 — 1Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — 2Physik Department E13, Technische Universität München, 85748 Garching — 3Technion University, Haifa, Israel
Halbleiter-Nanopartikel in oxidischer Matrix sind ein interessantes Modellsystem. Untersucht werden Si+ implantierte SiO2 Schichten in Abhängigkeit vom Temperregime mit Photolumineszenz (PL), Infrarotspektroskopie und Neutronen-Kleinwinkel-Streuung. Im Temperaturbereich bis 600∘C dominiert die Defektlumineszenz im SiO 2. Zwischen 600 und 900∘C bilden sich Si-Nanopartikel (Durchmesser der Nanopartikel im Bereich von 20 Å) und es entsteht eine mit der Temperatur schiebende PL-Bande. Diese wird durch das Quantumconfinement verursacht. Bei Temperaturen über 1000∘C werden die Si Nanopartikel angelöst und die PL Intensität wächst um bis zu mehreren Größenordnungen im Bereich um 1.6 eV. Diese sehr starke PL-Bande wird auf Lumineszenz über Defekte im Grenzflä chenbereich zwischen den Si-Nanopartikeln und der SiO2-Matrix zurückgef ührt.