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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Unkonventionelle Halbleiter

HL 42.5: Talk

Friday, March 27, 1998, 12:30–12:45, H17

Hestellung und Strukturierung von Mehrfachfiltern aus porösem Silicium — •Volker Ganse1, Michael Krüger2, Dyon Scheyen3, Rüdiger Arens–Fischer2 und Markus Thönissen21ISI, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich — 2ISI — 31. Physik. Institut der RWTH Aachen

Seit längerem sind Schichtsysteme aus porösem Silicium bekannt, die in Form von Interferenzfiltern in der passiven Optik Verwendung finden. Bisher konnte jedoch auf den einzelnen Proben jeweils nur eine bestimmte Filtercharakteristik hergestellt werden. Das Ziel der hier vorgestellten Untersuchung ist die Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung nebeneinander angeordneter, unterschiedlicher Filter auf einer Probe. Durch zwei nacheinander erfolgende Anodisierungen wurden unterschiedliche, übereinanderliegende Bragg-Reflektoren auf der selben Probe hergestellt. Anschließend wurde mittels Photolithographie und reaktivem Ionenätzen (RIE) in ausgewählten Bereichen der obere Bragg-Reflektor entfernt. In diesen wird das Reflektionsspektrum nur durch den unteren Bragg-Reflektor bestimmt. In den anderen Bereichen bestimmt das Gesamtschichtsystem das Spektrum. Der Einfluß des unteren Bragg-Reflektors auf dieses Spektrum kann durch geeignete Wahl des Schichtsystems unterdrückt werden. Realisiert wurden unterschiedliche Filter, deren Reflexionsvermögen trotz des RIE Prozesses über 85 % betrug.

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