Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Unkonventionelle Halbleiter

HL 42.9: Talk

Friday, March 27, 1998, 13:30–13:45, H17

Chemische Modifizierung von Interferenzfiltern aus porösem Silicium zur Langzeitstabilisierung — •R. Arens-Fischer¹, J. Linsmeier², J. Fricke², W. Theiß³, M. Thönnissen¹ und H. Lüth¹ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — ²Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ³I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, Sommerfeldstr., D-52056 Aachen

Poröses Silicium (PS) ist aufgrund seiner großen inneren Oberfläche (bis zu 1000 cm² / cm³) nicht stabil gegenüber Umwelteinflüssen. Die Passivierung mit Wasserstoffatomen nach der Herstellung ist zwar sehr vollständig, aber nicht langzeitstabil. Der Sauerstoff der umgebenden Luft oxidiert die poröse Schicht mit der Zeit. Ein Nachbehandlungsschritt zur Langzeitstabilisierung des PS ist daher notwendig.// Die innere Oberfläche des PS wurde mit verschiedenen Silanen chemisch modifiziert. Nach der Optimierung des Modifizierungsprozesses wurde eine Bestimmung des Brechungsindexes für verschiedene Stromdichten durchgeführt. Mittels dieser Daten konnten Braggreflektoren vom roten bis zum blauen Spektralbereich hergestellt werden.// Die chemische Oberflächenmodifizierung verhindert nicht nur ein weiteres Oxidieren des PS, sonder kann auch eine Aufnahme von Wasser in die poröse Struktur unterbinden. Dies bedeutet, daß sich auch in feuchten Atmosphären der Brechungsindex nicht ändert. Dies ist ein weitere Vorteil der chemischen Oberflächenmodifizierung