Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Quantenpunkte III

HL 43.2: Talk

Friday, March 27, 1998, 11:45–12:00, H1

Oberflächenemittierende Laser auf der Basis von selbstorganisierten Quantenpunkten — •N.N. Ledentsov¹, D. Bimberg¹, J.A. Lott², V.M. Ustinov³, A.Yu. Egorov³, P.S. Kop’ev³ und Zh.I. Alferov³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — ²Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA — ³A.F. Ioffe-Institute, St. Petersburg, Russia

Oberflächenemittierende Laser mit vertikaler Kavität (VCSEL), deren aktives Gewinnmedium aus einem dreifachen, vertikal gekoppelten Stapel selbst-organisierter InGaAs/GaAs Quantenpunkte besteht, wurden mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt und mit Intrakavitätskontakten und Oxidapertur prozessiert. Schwellenströme von 200 µA wurden für Mesas mit 8 µm Durchmesser bei 293 K gemessen. Dies entspricht einer Schwellenstromdichte von 400 A/cm². Die Laseremission mit einer Wellenlänge bei 1.0 µm stammt vom Grundzustand der Quantenpunkte. Für Mesas mit 1 µm Durchmesser wurden Schwellenströme von nur 68 µA gemessen. Diese Werte sind mit den besten, auf Quantenfilmen basierenden VCSEL vergleichbar.