Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Quantenpunkte III

HL 43.3: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:00–12:15, H1

Selbstorganisiertes Wachstum vertikal geordneter InP/GaInP Quantenpunkte mittels MOVPE — •J. Porsche¹, M. Geiger¹, A. Ruf¹, V. Rischmüller², F. Phillipp² und F. Scholz¹ — ¹4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart — ²MPI für Metallforschung, Heisenbergstraße 1, D-70569 Stuttgart

Bei der Abscheidung von InP auf GaInP mittels MOVPE kann ab einer kritischen Schichtdicke von 1.6 Monolagen die selbstorganisierte Ausbildung von kohärenten Quantenpunkten (QP) beobachtet werden. In diesen niederdimensionalen Strukturen ist lediglich eine begrenzte Anzahl von diskreten Energieniveaus vorhanden, so daß die Ladungsträger in QP atomähnliche Eigenschaften besitzen. Die beobachtete Emissionswellenlänge der InP-QP im roten Spektralbereich macht diese somit für Laseranwendungen im Sichtbaren interessant. Deshalb wurden die strukturellen und optischen Eigenschaften einer einzelnen Schicht von QP mittels AFM und PL untersucht und die Wachstumsparameter im Hinblick auf eine geringe Größe, hohe Dichte und maximale Homogenität der QP optimiert. Für den Einsatz in QP-Lasern ist jedoch, um mehr optisch aktives Material zu erhalten, ein Übereinanderstapeln mehrerer Schichten von QP wünschenswert. Aus diesem Grund wurde der Einfluß unterschiedlicher Schichtstrukturen auf Mehrfach-QP-Stapel näher betrachtet. Wie TEM-Aufnahmen zeigen, konnte hierbei durch geeignet gewählte Wachstumsparameter eine vertikale Ordnung der QP erzielt werden.