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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Quantenpunkte III

HL 43.4: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:15–12:30, H1

Gekoppelte Quantenpunkte durch zweifaches cleaved edge overgrowth — •Gert Schedelbeck, Werner Wegscheider, Max Bichler und Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Durch zweifaches cleaved edge overgrowth (CEO) - dem Überwachsen von Spaltflächen mit Molekularstrahlepitaxie - wurden 7 x 7 x 7 nm große, T - förmige Quantenpunkte (QD) im Materialsystem GaAs/AlGaAs hergestellt. Die atomar präzise Kontrolle über Form und Position ermöglicht die Untersuchung der Bildung von bindenden und antibindenden Exzitonzuständen in zwei quantenmechanisch gekoppelten QDs durch Variation des Abstandes zwischen den QDs. Mikrophotolumineszenz (µPL) - Messungen mit hoher räumlicher und spektraler Auflösung zeigen eine systematische Zunahme der energetischen Aufspaltung zwischen bindenden und antibindenden Zuständen und der PL - Linienbreiten mit sinkendem Kopplungsabstand.