Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Symposium: Nahfelduntersuchungen optischer Anregungen
HL 44.1: Fachvortrag
Friday, March 27, 1998, 11:30–12:00, H15
Charakterisierung von teilgeordnetem (GaIn)P mit hochauflösender optischer und Rastertunnel-Mikroskopie — •M. J. Gregor1, P. G. Blome1, A. J. Heinrich1, U. Kops1, M. Wenderoth1, R. G. Ulbrich1, F. Scholz2 und H. Schweizer2 — 1IV. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, D-37073 Göttingen — 2IV. Physikalisches Institut, D-70550 Universität Stuttgart
Mit metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte Heterostrukturen aus GaAs und (GaIn)P wurden mit optischer Nahfeldmikroskopie (SNOM), hochauflösender konfokaler Mikroskopie und Cross- Sectional Rastertunnelmikroskopie (XSTM) untersucht. Der Zusammenhang von charakteristischen optischen Übergängen und Ordnungsphänomenen einschließlich der Realstruktur der Kristalle wird diskutiert. Mit Hilfe des Tieftemperatur-SNOM konnte die räumlich inhomogene Emission im teilgeordneten (GaIn)P gezeigt werden. Die konfokalen optischen Untersuchungen konzentrierten sich auf lateral strukturierte Quantenwells (Durchmesser 45 nm bis 320 nm). Charakteristische scharfe (≤ 1 meV) Emissionslinien und deren Intensitäts- und Magnetfeldabhängigkeit wurden untersucht und gleichen den Eigenschaften eines Quantendots. Mit XSTM konnte das natürliche Übergitter auf der [110] und [110] Oberfläche mit atomarer Auflösung abgebildet werden. Damit ist die Untersuchung der Ordung auf der atomaren Skala in realen Systemen möglich.