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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Symposium: Nahfelduntersuchungen optischer Anregungen

HL 44.4: Fachvortrag

Friday, March 27, 1998, 13:00–13:30, H15

Optische Nahfeld-Reflektionsspektroskopie an Halbleiternanostrukturen — •W. Langbein1, J.M. Hvam1, and S.M. Madsen21Mikroelektronik Centret, The Technical University of Denmark, Building 345 east, DK–2800 Lyngby, Denmark — 2DME - Danish Micro Engineering A/S, Transformervej 12, DK–2730 Herlev, Denmark

Wir stellen eine optische Nahfeldtechnik vor, mit der die lokale Polarisierbarkeit von Halbeiternanostrukturen mit einer Ortsauflösung besser als 100 nm abgebildet werden kann.

Wir benutzen ein umgebautes Rasterkraftmikroskop in Scherkraftregelung. Die Nahfeldsonde ist eine gezogene Spitze einer single-mode Glasfaser. Um Untergrundsignale durch Fernfeldreflektionen zu unterdrücken,

wird die depolarisierte Komponente des internen Faserrückreflexes selektiert [1]. Die Intensität dieser Komponente wird in Phase mit der Schwingungfrequenz der Faser detektiert, die schnell gegenüber der Abstandsregelu des Instrumentes ist. Dadurch werden topographische Fernfeldartefakte unterdrückt [2]. Wir demonstrieren die Leistungsfähigkeit dieser Technik an oberflächennahen Quantenfilmen, relaxierten Si-Ge Oberflächen, und GaAs T-förmigen Quantendrähten.
[1] S. I. Bozhevolnyi, M. Xiao, and O. Keller, Appl. Optics 33, 876 (1994).
[2] W. Langbein et. al, OECS 1997, phys. stat. solidi (a) in press

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