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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Symposium: Nahfelduntersuchungen optischer Anregungen

HL 44.5: Fachvortrag

Freitag, 27. März 1998, 13:30–14:00, H15

Tieftemperatur-Nahfeldspektroskopie niedrigdimensionaler Halbleiter — •Ch. Lienau, A. Richter, D. Heinrich und T. Elsaesser — Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin

Die Technik der Rasternahfeldmikroskopie ermöglicht es, die beugungsgrenzte Auflösung der klassischen optischen Mikroskopietechniken zu unterschreiten und Spektroskopie mit einer räumlichen Auflösung von etwa 100 nm zu betreiben. Dieses bietet vielfältige neuartige Möglichkeiten zum Studium der physikalischen Eigenschaften einzelner niedrigdimensionaler Halbleiternanostrukturen, wie z.B. Quantenpunkte oder -drähte [1]. In diesem Beitrag geben wir einen Überblick über Untersuchungen der nanoskopischen optischen Eigenschaften neuartiger GaAs Quantendrähte. Dabei werden Experimente mit verschiedenen Kontrastmechanismen, wie Lumineszenz-, Lumineszenzanregungs-, Reflektions-, oder Polarisationsspektroskopie vergleichend diskutiert. Des weiteren wird berichtet über erste Experimente zur Kombination von höchster räumlicher und zeitlicher Auflösung zum Studium des Transports und der Relaxation von Ladungsträgern in Halbleiternanostrukturen.

[1] A. Richter, G. Behme, M. Süptitz, Ch. Lienau, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 79, 2145 (1997).