Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Bauelemente I

HL 5.1: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 10:30–10:45, H17

Einzel-Elektronen Bauelemente auf metallischer Basis — •K. Hofmann, S. Altmeyer, S. Hu, A. Hamidi, B. Spangenberg und H. Kurz — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 24, 52074 Aachen

Einzel-Elektronen Bauelemente bieten ein interessantes Potential für Speicherbauelemente auf der Nanometer-Skala. In diesem Beitrag wird der Step Edge Cut Off (SECO) Herstellungsprozeß für Einzel-Elektronen Bauelemente vorgestellt. Das SECO-Verfahren ermöglicht die Herstellung von Metall Einzel-Elektronen Transistoren mit extrem kleinen Tunnelkapazitäten. Mittels hochauflösender Elektronenstrahllithographie wurden Strukturen realisiert, an denen Coulomb Blockade und Coulomb Oszillationen selbst bei einer Betriebstemperatur von 77 Kelvin beobachtet werden konnten.