Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Bauelemente I

HL 5.2: Talk

Monday, March 23, 1998, 10:45–11:00, H17

CMOS kompatible Silizium Einzel-Elektronen Transistoren — •T. Köster, F. Goldtschmidtböing, B. Hadam, J. Stein, S. Altmeyer, B. Spangenberg und H. Kurz — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 24, 52074 Aachen

Der Einzel-Elektronen Transistor stellt ein neuartiges Bauelement dar, das der angestrebten Miniaturisierunganforderung und der damit verbundenen Reduktion der Verlustleistung von IC’s gerecht wird. Präsentiert wird ein Herstellungsprozess für Einzel-Elektronen Bauelemente auf Siliziumbasis. Aufbauend auf SOI Material werden durch höchstauflösende Elektronenstrahllithographie in Kombination mit einem Mehrlagen-Resist und Trockenätztechnik lokale, nur wenige Nanometer breite, laterale Einschnürungen erzeugt. Dabei entstehen Tunnelstrukturen mit extrem kleinen Kapazitäten. Ausgeprägte Einzel-Elektronen Effekte, wie Coulomb Blockade, Coulomb Staircase und die periodische Modulation des Stroms mittels einer seitlichen Gateanordnung, konnten nachgewiesen werden.