Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Bauelemente I

HL 5.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 11:45–12:00, H17

Herstellung und Charakterisierung ultraschneller Silizium- Photodetektoren — •M. Löken, L. Kappius, Ch.. Buchal und S. Mantl — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Die Herstellung von ultraschnellen Silizium- basierenden Photodetektoren wird gezeigt. Die Detektoren besitzen eine vertikale Metall-Halbleiter-Metall Struktur, die durch Implantation von Co-Ionen in Silizium erzielt wurde. Es bilden sich CoSi₂ Ausscheidungen, die sich nach einer anschießenden Temperung zu einer homogenen, vergrabenen CoSi₂ Schicht zusammenziehen. Die einkristalline Siliziumschicht auf dem Silizid bildet die photosensitive Schicht. Als obere Metallisierung ist eine halbdurchlässige Cr-Schicht aufgebracht. Das Schichtsystem wurde mit Transmissionselektronenmikroskopie und Rutherford Rückstreuung / Channeling charakterisiert. Mit einem elektooptischen Meßverfahren wurde das Pulsantwortverhalten der Diode bestimmt. Die elektrische Pulshalbwertsbreite (FWHM) beträgt 3.5 ps auf Si(111) bei einer Wellenlänge von 840 nm. Eine externe Quanteneffizienz von 4.6 % wurde gemessen.