Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Bauelemente I

HL 5.7: Talk

Monday, March 23, 1998, 12:00–12:15, H17

Optimierung des elektrischen Verhaltens von SiGe-Heterobipolartransistoren — •B. Heinemann, D. Knoll, and D. Bolze — Institut für Halbleiterphysik, W.-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder)

Die Steigerung der Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen im Höchstgeschwindigkeitsbereich ist für Anwendungen auf dem Gebiet der drahtlosen Kommunikation von großem Interesse. Ein Kandidat, der für die monolithische Integration von extrem schnellen Schaltelementen in einem Standard-Si-Prozeß in Frage kommt, ist der SiGe-Heterobipolartransistor (HBT). Die auf Simulationen gestützte Optimierung der Hochfrequenzeigenschaften von SiGe-HBTs ist für eine effiziente Technologieentwicklung unerläßlich.

Ausgehend von den inner-elektronischen Zusammenhängen wird mit Hilfe von Bauelementesimulation der Einfluß des Ge-Profils, der Basis-Dotierung sowie der Gestaltung niedrig dotierter Gebiete von Emitter und Kollektor auf das elektrische Verhalten der SiGe-HBTs dargestellt. Anhand experimenteller Resultate werden die Möglichkeiten der technologischen Realisierung optimierter Bauelementekonstruktionen erläutert. Meßergebnisse zu statischen und dynamischen Eigenschaften von SiGe-HBTs demonstrieren die spezifischen Vorzüge gegenüber konventionellen Si-Bipolartransistoren.