Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 6: Symposium: Blaue Halbleiterlaser

HL 6.1: Fachvortrag

Monday, March 23, 1998, 10:30–11:00, H1

Wachstum und Charakterisierung von ZnSe Laserdioden — •M. Behringer, H. Wenisch, M. Fehrer, A. Isemann, M. Klude, V. Grossmann, H. Heinke, K. Ohkawa und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Strasse, 28359 Bremen

Laserdioden für den Spektralbereich von 490 nm bis 530 nm sind für viele spektroskopische Anwendungen und Projektionsverfahren interessant. In Bremen werden solche Laserstrukturen aus (CdMgZn)(SSeTe) auf GaAs- und ZnSe-Substraten mittels Molekular-Strahl-Epitaxie hergestellt und untersucht. Bei den heteroepitaktischen Bauelementen sind die Defektdichten am Heterogrenzfläche von entscheidender Bedeutung. Stapelfehler und Versetzungen durchziehen das ganze Bauteil und fördern im Quantentrog nichtstrahlende Rekombination und eine Diffusion des Cadmiums. Diese wird unterstützt durch eine starke Wärmeentwicklung im p-Kontakt aufgrund hoher Kontaktwiderstände. Gerade im kontinuierlichen Raumtemperaturbetrieb wird dies deutlich. Durch die Verwendung von Supergittern aus ZnSe und ZnTe als Kontakt können die elektrischen Verluste und die Betriebsspannungen deutlich reduziert werden.
Bei homoepitaktischen Strukturen erwies sich die Substratpräparation als Haupthindernis für ein defektarmes Wachstum. Durch eine in-situ Reinigung der Oberfläche durch ein Wasserstoff-Plasma konnten homoepitaktische Strukturen mit hoher kristalliner Perfektion reproduzierbar hergestellt werden.