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HL: Halbleiterphysik

HL 6: Symposium: Blaue Halbleiterlaser

HL 6.4: Fachvortrag

Montag, 23. März 1998, 12:00–12:30, H1

Laserprozesse in Gruppe III-Nitriden — •A. Hoffmann —
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Ihr hohes Anwendungspotential ließ die Gruppe III-Nitride in den letzten Jahren in den Mittelpunkt des weltweiten Interesses rücken. Dabei erlangte GaN mit seinen In- und Al-Legierungen die größte Aufmerksamkeit. Die modernen Epitaxieverfahren erlauben es heutzutage, Laserdioden (LD) für das blaue und ultraviolette Spektralgebiet herzustellen, dies ist jüngst neben den auf ZnSe basierenden blauen Laserdioden auch für In0.1Ga0.9N/GaN-Quantum Well Strukturen möglich. Bei Zimmertemperaturen im cw-Betrieb beträgt die Lebensdauer der InGaN LD 10000h. Weiterhin wird beobachtet, daß die Laseraktivität häufig aus lokalen Bereichen in der Nähe von Versetzungslinien auftritt. Welche Rolle dabei lokalisierte Exzitonen spielen ist bisher nicht klar. In diesem Beitrag wird über die physikalischen Prozesse, die in den Gruppe III-Nitriden zur stimulierten Emission führen, berichtet.