Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 8: Halbleiterlaser

HL 8.14: Talk

Monday, March 23, 1998, 19:15–19:30, H16

Mittels fokussierter Ionenstrahltechnologie hergestellte, lateral verstärkungsgekoppelte InP-DFB-Laserdioden — •H. König¹, J. P. Reithmaier¹, A. Forchel¹, J. L. Gentner² und L. Goldstein² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg — ²Alcatel Alsthom Recherche, Marcoussis, Frankreich

Verstärkungsgekoppelte 1.55 µm DFB-Laser werden für Anwendungen in der optischen Datenübertragung intensiv untersucht. Auf mit GSMBE gewachsenen MQW InP Laserstrukturen wurden mittels Elektronenstrahllithographie und Cl/Ar-ECR-RIE Trockenätzen Rippenwellenleiterstrukturen definiert. Mit einem fokussierten 100 keV Ga⁺ Ionenstrahl wurde anschließend ein laterales Gitter mit 236 nm Periode bei einer Liniendosis von 3· 10⁸ cm⁻² implantiert. Durch schnelles thermisches Ausheilen bei 700 ^∘C erreicht man eine implantationsinduzierte thermische Durchmischung, die eine periodische Variation der Bandlücke im passiven Bereich entlang des Wellenleiters ergibt. In den implantierten Bereichen wird die Absorption lokal reduziert. Dies führt damit zu einem Rückkopplungsgitter für die im Wellenleiter laufende Welle. Die Laser zeigen eine spektral einmodige Emission mit einer auflösungsbedingten Linienbreite von 0.13 meV. Außerdem zeigen die lateral implantierten Laser aufgrund der Reduktion der Gesamtabsorption und des besseren lateralen Ladungsträger-„Confinements“ eine deutlich erhöhte externe Quantenausbeute und eine reduzierte Laserschwelle im Vergleich zu nicht implantierten Streifen.