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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Halbleiterlaser

HL 8.4: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:45–17:00, H16

Wachstum von Multiquantenbarrieren in AlGaInP Laserdioden mittels MOVPE — •P. Raisch, R. Winterhoff, W. Wagner, H. Schweizer und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

AlGaInP Laserdioden mit Emissionswellenlängen in einem Bereich um 630nm sind für eine Vielzahl von Anwendungen von Interesse und können als Ersatz für HeNe-Laser dienen. Ein grundlegendes Problem dieser Laserdioden ist der parasitäre Elektronenleckstrom über die p-seitige Heterobarriere, der die Bauteile sehr temperaturempfindlich macht und das Erzielen größerer Ausgangsleistungen erschwert. Der Einbau von Multiquantenbarrieren (MQB) in den Heteroübergang wird oft als mögliche Methode zur Reduzierung des Leckstroms diskutiert. Um die Auswirkungen solcher MQB zu untersuchen, wurden mittels der Transfermatrixmethode die Eigenschaften verschiedener MQB-Strukturen theoretisch untersucht. Hierbei zeigte sich eine sehr kritische Abhängigkeit der MQB-Eigenschaften von den Schichtdicken. Um die experimentelle Realisierbarkeit der Strukturen zu untersuchen, wurden MQB in Laserproben, die mit Niederdruck-MOVPE hergestellt wurden, eingebaut. Aus diesen Proben wurden Laser prozessiert und daran Schwellstromdichten und Quantenausbeuten temperaturabhängig bestimmt.