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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Halbleiterlaser

HL 8.5: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:00–17:15, H16

Oberflächenemittierende (GaIn)As/Ga(PAs) Laserstrukturen
mit optimierter Dynamik und großer Normalmodenkopplung — •C. Ellmers, M. Hofmann, D. Karaiskaj, W.W. Rühle, S. Leu und W. Stolz — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Renthof 5,
D-35032 Marburg

Die Methode des kompensationsverspannten Wachstums ermöglicht es, bei der Epitaxie eines Mikroresonatorlasers viele Quantenfilme im Resonator unterzubringen. Wir zeigen, daß die resultierende stärkere Kopplung zwischen Lichtfeld im Resonator und Quantenfilmen bei niedrigen Dichten zu einer großen Normalmodenkopplung und im Laserbetrieb zu einer schnelleren Dynamik der Laseremission führt.
Die Emission einer Probe mit 12 Quantenfilmen in einem 2λ Resonator zeigt eine sehr schnelle Pulsantwort. Bei Anregung mit einem 100 fs Laser beobachten wir Verzögerungszeiten von 4,8 ps und Pulsbreiten von 3,9 ps. Die Reflexionsspektren von dieser Probe zeigen Normalmodenkopplung mit einer besonders großen Aufspaltung von 11 meV. Variation der Temperatur liefert die Dispersion des Resonator-Polaritons.