Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Halbleiterlaser

HL 8.7: Talk

Monday, March 23, 1998, 17:30–17:45, H16

Spannungsrelaxation und Defekterzeugung in Hochleistungslaserdiodenarrays — •Arndt Jaeger, Jens W. Tomm und Arthur Bärwolff — Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Rudower Chaussee 6, D-12489 Berlin

Das enorme Anwendungspotential von Hochleitungslaserdioden kann derzeit wegen der begrenzten Bauelementelebensdauer noch immer nicht ausgeschöpft werden. Wir berichten über Untersuchungen zum Zusammenhang zwischen Verspannung der Laserstruktur und Bauelementeschädigungen. Neue analytische Ansätze, wie die Kopplung von ortsaufgelöster optischer Defektspektroskopie und sowohl polarisations- und ortsaufgelöster Elektrolumineszenz ermöglichen Schlußfolgerungen bezüglich der Ursachen von Bauelementeschädigungen. Die Ergebnisse werden an Hand verschieden verspannter Strukturen diskutiert.