Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Halbleiterlaser

Monday, March 23, 1998, 16:00–19:30, H16

	16:00	HL 8.1	Einflu"s von Transversalmoden-Effekten auf das Sub-Pikosekunden- Schalten von Halbleiterlasern mit Vertikalresonator — •O. D. M"ucke, S. G. Hense, and M. Wegener
	16:15	HL 8.2	Übergitter-DFB-Laser im Materialsystem InGaAs(P)-InP — •R. Schreiner, J. Wiedmann, M. Geiger, J. Porsche, M. Jetter, K. Wünstel, F. Scholz und H. Schweizer
	16:30	HL 8.3	Raum-zeitliche Dynamik von Breitstreifen-Halbleiterlasern — •T. Burkhard, I. Fischer und W. Elsäßer
	16:45	HL 8.4	Wachstum von Multiquantenbarrieren in AlGaInP Laserdioden mittels MOVPE — •P. Raisch, R. Winterhoff, W. Wagner, H. Schweizer und F. Scholz
	17:00	HL 8.5	Oberflächenemittierende (GaIn)As/Ga(PAs) Laserstrukturen mit optimierter Dynamik und großer Normalmodenkopplung — •C. Ellmers, M. Hofmann, D. Karaiskaj, W.W. Rühle, S. Leu und W. Stolz
	17:15	HL 8.6	Maximale Modulationsfrequenz von Halbleiter–Mikroresonatorlasern — •Michael Oestreich, Daniel Hägele, Martin Hofmann , Andreas Hansch, Jill D. Berger, Hyatt M. Gibbs, Sascha Hallstein und Wolfgang W. Rühle
	17:30	HL 8.7	Spannungsrelaxation und Defekterzeugung in Hochleistungslaserdiodenarrays — •Arndt Jaeger, Jens W. Tomm und Arthur Bärwolff
	17:45	HL 8.8	Raum-zeitliche Komplexität in Halbleiterlasern durch transversale und longitudinale Multimoden-Instabilitäten — •M. Münkel, M. Ziegler, I. Fischer, O. Hess und F. Kaiser
	18:00	HL 8.9	Wärmebilanz von Diodenlaserarrays im Hochleitungsbetrieb — •Jens W. Tomm, Arthur Bärwolff, Arndt Jaeger und Thomas Elsaesser
	18:15	HL 8.10	Modellierung der Lichtpulsdynamik von modengekoppelten SPIKE-Mehrsegmentlasern — •T. Bert, G. Jennemann, M.O. Ziegler, S. Uhl, M. Aziz, I. Fischer, E. Lach, and W. Elsässer
	18:30	HL 8.11	Verstärkungsgekoppelte InGaAs/GaAs DFB Laser mit lateralem Gitter — •M. Kamp und A. Forchel
	18:45	HL 8.12	Kurzpulserzeugung mittels modengekoppelter Mehrsegmenthalbleiterlaser — •S. Uhl, M.O. Ziegler, M. Serényi, G. Jennemann, T. Bert, M. Aziz, I. Fischer und W. Elsäßer
	19:00	HL 8.13	Einflu"s des Ladungstr"ager-Confinements auf die Temperaturabh"angigkeit der Laserschwelle von GaInAs/AlGaAs-Lasern — •F. Sch"afer, B. Mayer, J. P. Reithmaier, and A. Forchel
	19:15	HL 8.14	Mittels fokussierter Ionenstrahltechnologie hergestellte, lateral verstärkungsgekoppelte InP-DFB-Laserdioden — •H. König, J. P. Reithmaier, A. Forchel, J. L. Gentner und L. Goldstein