Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 9: Heterostrukturen

HL 9.11: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:30–18:45, H17

Strukturierung von epitaktischen CoSi₂/Si-Heterostrukturen durch lokale Oxidation — •A. Antons¹, F. Klinkhammer¹, L. Kappius¹, K.H. Heinig², H. Trinkhaus³ und S. Mantl¹ — ¹Institut für Schicht- u. Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — ²Forschungszentrum Rossendorf, D-01314 Dresden — ³Institut für Festkörperphysik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Die Strukturierung epitaktischer CoSi₂/Si-Heterostrukturen durch lokale Oxidation wurde untersucht. Durch die Oxidation wird die Silizidschicht im unmaskierten Bereich in das Substrat getrieben. Unter geeigneten Bedingungen tritt dabei eine Separation der Silizidschichten auf. Unter Verwendung optischer Standardlithographie lassen sich damit laterale Abstände der beiden Silizidschichten im 100nm Bereich erreichen. Um ein tieferes Verständniss der dabei relevanten physikalischen Effekte zu erhalten, wurde eine Simulation des Prozesses, basierend auf einem Monte-Carlo Verfahren, entwickelt. Die im Experiment gefundene Abhängigkeit des Prozesses von der lateralen und vertikalen Ausdehung der Oxidationsmaske als auch von der Schichtdicke der Silizidschicht, konnte durch Vergleich mit der Simulation auf die Druckverteilung unter der Oxidationsmaske zurückgefuehrt werden.