Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Heterostrukturen

HL 9.13: Talk

Monday, March 23, 1998, 19:00–19:15, H17

THz-Feld-induzierte Erhoehung der Beweglichkeit von Miniband-Elektronen in einem GaAs/AlAs-Übergitter — •S. Winnerl’, W. Seiwerth’, E. Schomburg’, J. Grenzer’, K. Hofbeck’, K.F. Renk’, A.F.G. van der Meer”, C. Langerak”, D.G. Pavel’ev”’, Yu. Koschurinov”’, A.A. Ignatov”’, B. Melzer””, V. Ustinov””, S. Ivanov”” und P.S. Kop’ev”” — ’Universität Regensburg, ”Nieuwegein, ”’Nizhny Novgorod, ””St. Petersburg

Wir berichten über eine THz-feldinduzierte Erhöhung der Beweglichkeit von Minibandelektronen in einem GaAs/AlAs- Übergitter. In einem Korrelationsexperiment mit ps-Pulsen (Frequenz 4 THz) trat während der Überlagerung zweier Pulse eine Erhöhung der Beweglichkeit um eine Größenordnung auf. Durch das starke THz-Feld (einige 100 kV/cm) wurde eine Nichtgleichgewichtsverteilung von Elektronen im 2. Miniband erzeugt. Die Quantenenergie des THz-Feldes (20 meV) war kleiner als die Bandbreite des 1. und 2. Minibandes (50 meV, 300 meV) und als die Bandlücke dazwischen. Die Experiment erlauben eine Untersuchung der Dynamik von Elektronen in Halbleiter-Übergittern und stellen, darüberhinaus, eine elegante Methode zur Detektion ultrakurzer THz-Impulse dar.