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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Heterostrukturen

HL 9.2: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:15–16:30, H17

Elektrooptische Untersuchungen zum "Ubergang vom Volumenhalbleiter zum Quantum Well — •H.J. Kolbe, C. Agert, F. H"ohnsdorf, W. Stolz, and G. Weiser — Fachbereich Physik und Wiss. Zentrum f"ur Materialwissenschaften der Philipps-Universit"at Marburg

Mit Hilfe von Elektroabsorptionsspektren kann in Bulk-Halbleitern aus der energetischen Ausdehnung der Franz-Keldysh Oszillationen auf die freie Wegl"ange, d.h. die r"aumliche Ausdehnung der elektronischen Zust"ande geschlossen werden [1]. Wir untersuchen mit dieser Methode eine Serie von InP/InGaAs/InP Heterostrukturen, bei denen sukzessive die Breite der eingebetteten InGaAs-Schicht reduziert wird. Die Schichten wurden mit MOVPE und den alternativen Quellen TBAs und TBP auf InP-Substraten gewachsen. Wir beobachten den "Ubergang vom Franz-Keldysh Effekt in den Bulk-"ahnlichen Schichten zum Quantum-Confined Stark-Effekt in den d"unnen Schichten. Die lokale Begrenzung der Zust"ande zeigt sich bereits bei Schichtdicken von 100nm in einer charakteristischen "Anderung der Linienform der Elektroabsorptionsspektren.

[1] A.Jaeger, G.Weiser, P.Wiedemann, I.Gyuro, E.Zielinski, J. Phys.: Condens. Matter 8, 6779 (1996)