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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Heterostrukturen

HL 9.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:15–17:30, H17

Exzitonen als Sonde für die Interface-Beschaffenheit von
GaAs/AlAs-Superlattices — •W. B. von Foerster¹, D. M. Hofmann¹, A. Hofstaetter¹, B. K. Meyer¹, A. Scharmann¹, P. G. Baranov², N. G. Romanov², F.-J. Ahlers³ und K. Pierz³ — ¹I. Physikalisches Institut der Justus Liebig Universität Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen — ²A.F. Ioffe-Institut, Sankt Petersburg, Rußland — ³PTB Braunschweig

Magnetooptische Spektroskopie an der Lumineszenz von Typ-II-Superlattices gestattet über Level-Anticrossing (LAC) und optisch detektierte Resonanz (ODMR) die Vermessung des Energieniveausystems der Heavy-Hole-Exzitonen im µeV-Bereich. Daraus lassen sich geometrische Parameter wie Layer- und Periodendicke ermitteln. Über die Linearpolarisation der LAC-Signale kann man unterscheiden, welche Exzitonen am normalen bzw. am inversen Interface rekombinieren, und deren relativen Anteil über die Lumineszenzlinie hinweg verfolgen. Dabei zeigen sich erhebliche Abhängigkeiten von den Präparationsbedingungen, so zum Beispiel ein deutlicher Einfluß von Wachstumsunterbrechungen und Substrattemperatur, die wir ausgiebig untersucht haben. Durch zusätzliche Modulation der Mikrowelle mit unterschiedlichen Frequenzen lassen sich des weiteren Exzitonen nach ihrem Relaxationsverhalten separieren und damit die ablaufenden dynamischen Prozesse studieren.