Regensburg 1998 – scientific programme

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M: Metallphysik

M 16: Diffusion

M 16.6: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 17:10–17:30, H 39

Diffusion von Gold in Si–Ge-Schichten — •R. Fischer¹, P. Scharwaechter¹, K. Lyutovich², W. Frank¹ und ISOLDE-Kollaboration³ — ¹MPI f. Metallf., Stuttgart, und Inst. f. Theor. u. Angew. Phys. der Univ. Stuttgart — ²MPI f. Festkörperf., Stuttgart — ³CERN, Genf

Die Diffusion von implantiertem ¹⁹⁵Au in epitaktisch aus der Gasphase hergestellten Si_1−yGe_y-Schichten (y ≤ 0,23) wurde zwischen 700^∘C und 950^∘C mittels der Radiotracer-Methode untersucht. Die Diffusionsprofile wurden durch Schichtenteilung mit Hilfe einer Präzisionsschleifmaschine bestimmt. Es zeigte sich, daß bei Ge-Gehalten ≤ 8 % die Golddiffusion wie in Silizium über den Verdrängungsmechanismus erfolgt. Bei Ge-Gehalten zwischen 10 % und 23 % diffundiert das Gold weiterhin über diesen Mechanismus, jedoch mit kleinerem effektiven interstitiellen Golddiffusionskoeffizienten. Selbst bei 700^∘C ist der Verdrängungsmechanismus noch diffusionsbestimmend, was man an der Form von Goldausdiffusionsprofilen erkennt.