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M: Metallphysik

M 16: Diffusion

M 16.8: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:50–18:10, H 39

Diffusion von Germanium in der amorphen Keramik Si₂₆C₄₁N₃₃ — •S. Matics^1,2, P. Scharwaechter^1,2, W. Frank^1,2, K. Freitag³, J. Bill¹ und F. Aldinger¹ — ¹MPI f. Metallf., Stuttgart — ²Inst. f. Theor. u. Angew. Phys. der Univ. Stuttgart — ³Inst. f. Strahlen- u. Kernphysik der Univ. Bonn

Die Diffusion von ⁷¹Ge in amorphem Si₂₆C₄₁N₃₃ wurde mit Hilfe der Radiotracer-Methode untersucht. Die Proben wurden aus Polyvinylsilazan durch Pyrolyse bei 1050^∘C hergestellt. Die Diffusionstemperungen erfolgten zwischen 800^∘C und 1300^∘C. Unterhalb der Herstellungstemperatur gehorcht der Diffusionskoeffizient einem Arrhenius-Gesetz (Aktivierungsenthalpie 4,5 eV, präexponentieller Faktor 4·10⁻²m²/s). Oberhalb der Herstellungstemperatur ist die Diffusion langsamer, als man aufgrund einer Extrapolation dieses Arrhenius-Gesetzes erwarten würde. Erklärungsmöglichkeiten werden diskutiert.