Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 25: Postersitzung, gemeinsam mit AM,DS,DF,TT,SY B

M 25.3: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:10–19:10, A (Sammelgeb"aude)

Untersuchungen zur Phasenbildung bei der Festk"orperreaktion von BaTiO₃ (100) mit einem d"unnen SiO₂-Film — •St. Senz, A. Graff, N. D. Zakharov, and D. Hesse — Max-Planck-Institut f"ur Mikrostrukturphysik Halle

Die w"ahrend des Sinterns von BaTiO₃ mit dem Additiv SiO₂ ablaufenden Prozesse werden in einem Modellsystem aus einer BaTiO₃

(100)-Einkristall-Oberfl"ache und einem 100 nm d"unnen SiO₂ Film untersucht. In einer Hochvakuumanlage wird ein amorpher SiO₂-Film bei einer f"ur eine Reaktion nicht ausreichenden Temperatur von 400 ^∘C

abgeschieden. Die beim anschlie"senden Tempern an Luft einsetzende chemische Reaktion zwischen dem BaTiO₃ (100)-Substrat und dem SiO₂-Film f"uhrt zur Bildung der Reaktionsprodukte Fresnoit (Ba₂TiSi₂O₈) und Ba₆Ti₁₇O₄₀. In Abh"angigkeit von der Heiztemperatur werden durch Aufnahme von Pol-Figuren im R"ontgendiffraktometer verschiedene Orientierungsbezieh-ungen zwischen den Reaktionprodukten und dem Einkristallsubstrat gefunden. Eine lange Temperzeit von 8 h bei 800 ^∘C oder eine k"urzere Temperung bei 800 ^∘C, gefolgt

von einem zweiten Heizen auf 1200 ^∘C, f"uhren zur Bildung von wohlorientierten Reaktionsphasen, bei denen die Grenzfl"achen (Reaktionsfronten) mittels Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnitten abgebildet wurden.
Gef"ordert vom SFB 418, Martin-Luther-Universit"at Halle-Wittenberg