Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.10: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
LEED-Untersuchung epitaktischer CuInS2-Filme auf Si(111), (001) und (110) — •R. Hunger, R. Scheer, H.J. Lewerenz und Chr. Pettenkofer — Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Abteilung Grenzflächen (CG), Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Über die Oberflächenstruktur von Chalcopyriten liegen
im Vergleich zu den binären III-V-
und II-VI- Halbleiterfamilien wenig Untersuchungen vor. Dies liegt
u.a. in der Schwierigkeit
definierte Oberflächen dieser Materialien zu präparieren. In diesem
Beitrag wurde der Weg
beschritten, durch Molekularstrahlepitaxie auf Si(111)-, (001)- und
(110)-Substraten
unterschiedliche Oberflächenorientierungen von CuInS2 herzustellen.
Die Oberflächenstruktur
dieser Schichten wurde mit LEED charakterisiert.
Für alle Substratorientierungen werden definierte LEED-Beugungsmuster
erhalten, die das
epitaktische Aufwachsen des CuInS2 zeigen.
Abhängig von den Präparationsbedingungen werden Facettenreflexe und
Überstrukturen beobachtet, die hinsichtlich Wachstumskinetik und
Rekonstruktion interpretiert werden. Überstrukturreflexe, die auf eine
Chalcopyrit-Ordnung der
Kationen in der Oberfläche hinweisen, werden nicht beobachtet.