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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.12: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
STM/AES-Untersuchungen zum epitaktischen Wachstum von Ge auf Si(113) — •Hans-Joachim Müssig1, Walerian Arabczyk2, Jarek Dabrowski1 und Silvia Hinrich1 — 1Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), Walter-Korsing-Straße 2, D-15230 Frankfurt (Oder) — 2Technical University of Szczecin, Institute of Inorganic Chemical Technology, Pulaskiego 10, Pl-70-322 Szczecin, Poland
Ge wurde bei Raumtemperatur unter Ultrahochvakuumbedingungen auf thermisch stabile, atomar glatte Si(113)-Oberflächen bis zu Dicken von 30 Monolagen (ML) aufgedampft und mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) und Auger-Elektronenspektroskopie (AES) untersucht. Die Struktur dieser Schichten ist amorph. Bei der Erwärmung auf >500oC findet eine anisotrope Oberflächendiffusion statt, und es entstehen epitaktische Bereiche. Während bis 8 ML eine 3×2-Periodizität der Oberflächenatome beobachtet wird, bildet sich für höhere Bedeckungen eine 2×2-Struktur aus, wobei das Si(LMM)-AES-Signal ab 8 ML konstant bleibt. Dieser überraschende experimentelle Befund kann nur verstanden werden, wenn man die Segregation von Si-Atomen in Betracht zieht. Bei Temperaturen ≥800oC stellen wir fest, daß Ge-Atome zunehmend in das Si-Volumen eindiffundieren.