Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.28: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Diffusion und Nukleation in der Al/Al(111)-Homoepitaxie — •J. Weckesser, B. Fischer, J.V. Barth, H. Brune und K. Kern — Institut de Physique Expérimentale, Ecole Polytechnique=20 =46édérale de Lausanne, CH-1015 Lausanne
Die Anfangsstadien des homoepitaktischen Wachstums=20 von Al auf einer Al(111)-Oberfläche wurden mittels=20 Rastertunnelmikroskopie im Temperaturbereich 60–300=A0K bei=20 Adsorptionsraten von ≈ 6.3=A0×=A010−4 ML/s untersucht. =20 Bei Raumtemperatur erfolgt das Wachstum ausschliesslich über die=20 Benetzung von Stufenkanten. Für tiefere Temperaturen konnten Form=20 und Dichte von Al-Inseln auf der Oberfläche charakterisiert=20 werden. Anhand einer Analyse der Temperaturabhängigkeit der=20 Inseldichten ergibt sich die Migrationsbarriere von Al-Adatomen zu 42=20 ± 5 meV. Dieser Wert korreliert mit einem aussergewöhnlich=20 kleinen präexponentiellen Faktor der=20 Al/Al(111)-Oberflächendiffusion von 7.5 × 10 =A06±=20 0.25 s−1. Ein Vergleich mit analogen Metall-auf-Metall=20 Systemen deckt einen systematischen Trend zu stark verringerten=20 präexponentiellen Faktoren bei kleinen Migrationsbarrieren auf. =20