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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.32: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Ein einfaches Modell für Neigungsselektion in der Molekularstrahlepitaxie — •S. Schinzer, M. Biehl, S. Köhler und W. Kinzel — Universität Würzburg

Wir führen ein einfaches Modell für die Molekularstrahlepitaxie ein. Berücksichtigt wird die Diffusion unter dem Einfluß einer Ehrlich–Schwoebel Barriere an Stufenkanten, eine lokale Relaxation der ankommenden Teilchen und Kantendiffusion. Wir zeigen, daß durch das Wechselspiel von Diffusion und Anlagerungsmechanismus Hügel mit konstanter Neigung der Flanken auftreten. Zwei Phasen kann man unterscheiden: zuerst wird eine konstante Neigung ausgebildet und die Zahl der Hügel bleibt konstant. Danach vergröbern sich die Strukturen, die Zahl der Hügel nimmt ab. In beiden Phasen können wir selbst–affines Skalenverhalten beobachten. Die Simulation sind in Übereinstimmung mit einfachen Flußargumenten, als auch mit einer neuen Erweiterung der BCF Theorie. Wir diskutieren den Einfluß der Parameter auf das Skalenverhalten und die Anwendung auf die Molekularstrahlepitaxie.