Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.3: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Interfactant induziertes Quasi-Frank-van der Merwe Wachstum von Pb auf Si(111) — •Th. Schmidt¹, S. Heun¹, J. Slezak¹, J. Diaz¹, K. Prince¹, G. Lilienkamp² und E. Bauer³ — ¹ELETTRA, Sincrotrone Trieste, 34012 Basovizza-Trieste, Italien — ²Phys. Inst., TU Clausthal, Leibnizstr. 4, 38678 Clausthal-Zellerfeld — ³Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, USA

Der Einfluß von interfactants (Au, Ag) auf das Wachstum von Pb auf Si(111) wurde mit dem SPELEEM im Temperaturbereich von 260K bis 500K untersucht. Das SPELEEM ist ein Elektronenmikroskop, in dem die elementspezifische Abbildung von Röngtenphotoemission (XPEEM) mit der strukturempfindlichen Abbildung niederenergetischer Elektronen (LEEM) kombiniert ist. Auf der Si(111)-(7×7) Oberfläche wächst Pb im Stranski-Krastanov Modus, auf der Si(111)-(√3×√3)-Au und Si(111)-(6×6)-Au Oberfläche im Quasi-Frank-van der Merwe Modus (lagenweises Wachstum). Auf der Si(111)-(√3×√3)-Ag Oberfläche wechselt der Wachstumsmodus von lagenweises Wachstum unterhalb 300 K in Stranski-Krastanov Modus oberhalb von 300 K. Das Interfactant verändert einerseits die Grenzflächenenergie zwischen Adsorbat (hier Pb) und dem Si-Substrat. Andererseits wird die Wachstumskinetik entscheidend beeinflußt.