Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.43: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Oberflächenphononen von H:Si(110)-(1×1) und H/D:C(111)-(1×1) — •V. Gräschus, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II–Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

In diesem Beitrag stellen wir das Oberflächenphononenspektrum der wasserstoffbedeckten Si(110)-(1×1) und der wasserstoff- sowie der deuteriumbedeckten C(111)-(1×1) Oberflächen vor. Unsere Rechnungen basieren auf einem semiempirischen Gesamtenergieansatz, in dem sich die Energie aus einem attraktiven Bandstrukturanteil und einem empirischen, repulsiven Anteil zusammensetzt. Die Bandstrukturenergie wird dabei im Rahmen der empirischen Tight-Binding Methode berechnet.

Für H:Si(110)-(1×1) sind unsere Ergebnisse in guter Übereinstimmung mit seit kurzem verfügbaren experimentellen Daten.

Im Falle der H- bzw. D-bedeckten C(111)-(1×1) Oberfläche konzentrieren wir uns in der Diskussion vor allem auf die Rayleigh Moden, die entlang der Hochsymmetrielinien der Oberflächen-Brillouinzone eine charakteristische, k_∥-abhängige Isotopenverschiebung mit der Adsorbatmasse (H/D) aufweisen. Der Vergleich unserer berechneten Dispersionen mit experimentellen HAS-Daten [1] zeigt eine sehr gute Übereinstimmung, die Rückschlüsse auf die Terminierung der Oberfläche zuläßt.

[1] A. Glebov, J. P. Toennies, S. Vollmer, S. A. Safron, J. G. Skofronick, V. Gräschus, A. Mazur, and J. Pollmann, bei Phys. Rev. B eingereicht.