Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.51: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
STM-Untersuchungen zur Adsorption von TEOS auf Si(111)-(7x7) und Si(100)-(2x1) — •Hubert Rauscher, Jürgen Spitzmüller, Jürgen Braun und Rolf Jürgen Behm — Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Universität Ulm, 89069 Ulm
Die Adsorption und Dissoziation von Tetraethoxysilan (TEOS) wurde auf Si(111) und Si(100) zwischen 300 K und 900 K mit STM und XPS untersucht. Auf Si(111)-(7x7) erfolgt die dissoziative TEOS Adsorption stark platzspezifisch bezüglich corner und center Adatomen. Sie erfolgt unter Bruch einer oder zwei C-O Bindungen in den Ethoxyliganden im Molekül und führt zur Bildung von Tri-, Diethoxy- und Ethylgrupppen auf der Oberfläche. Tempern der Oberfläche führt zur Bildung von adsorbiertem und gasförmigem Ethylen. Die verbleibenden Dissoziationsprodukte reagieren zwischen 300 K und 850 K ohne Sauerstoffdesorption unter Bildung von SiOx auf der Oberfläche.Auf Si(100)-(2x1) sind die Adsorptionsprodukte mehr statistisch verteilt. Tempern nach TEOS-Adsorption bei 300 K auf Temperaturen über 850 K führt zu einer Aufrauhung der Oberfläche unter Bildung von (2x1)-rekonstruierten Inseln. Nach einem anfänglichem Übergangsbereich mit erhöhter Konzentration an Suboxiden wird das Wachstum von stöchiometrischem SiO2 auf Si(111) und Si(100) beobachtet.