Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.5: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Quasi-Van der Waals Epitaxie von GaSe auf Si(111):H und elektronische Bandanpassung — •R. Rudolph¹, R. Hunger¹, C. Pettenkofer¹, A. Klein^1,2 und W. Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin — ²Technische Universität Darmstadt, Fachgebiet Oberflächenforschung, Fachbereich Materialwissenschaften, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt

GaSe wurde auf auf ex-situ naßchemisch präparierten Si (111):H Oberflächen epitaktisch abgeschieden . Die GaSe Nukleation erfolgte bei 390^∘C deutlich unterhalb der H-Desorptionstemperatur. Die Oberflächenstruktur wurde bei verschiedenen Bedeckungen mit LEED kontrolliert. Die 1x1 Rekonstruktion von Substrat und Schicht zeigt, daß der Schichthalbleiter GaSe trotz der geringen zu erwartenden Wechselwirkung an der Grenzfläche, orientiert aufwächst (Quasi van der Waals-Epitaxie). Die kristalline Qualität der GaSe-Schicht kann bei einer Bedeckung von wenigen Monolagen durch Tempern bei 450^∘C verbessert werden. Die elektronische Bandanpassung der Hetero-Grenzfläche wurde mittels Photoemission bestimmt. Der ermittelte Wert der Valenzbanddiskontinuität von 0.3 eV ändert sich durch den nachfolgenden Temperschritt nicht und ist charakterisiert durch die Existenz eines Grenzflächendipols von 0.35 eV.