Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.65: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Adsorption von CO auf dünnen Manganfilmen auf Cu(100) — •R.-J. Linden, G. Boishin, M. Grüne und K. Wandelt — Institut für Physikalische und Theor. Chemie, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn

Unterhalb von 270 K bildet Mangan auf Cu(100) bis zu 0,9 ML quasi-hexagonale Filme mit c(8x2)-Überstruktur [1]. Adsorption bei 45 K und Temperverhalten von CO auf diesen Filmen wurden mit UPS, TDS, Austrittsarbeitsmessungen und AES untersucht. CO adsorbiert zunächst in einem chemisorbierten Zustand, der die Austrittsarbeit um bis zu 800 meV erhöht und im UPS zwei Peaks bei 7,6 und 10,6 eV zeigt. Bei Submonolagenbedeckungen werden Cu- und Mn-Plätze statistisch besetzt. Bei höheren Dosen tritt ein weiterer Zustand auf, der die Austrittsarbeit um bis zu 250 meV erniedrigt, im UPS Peaks bei 11,1 und 13,7 eV zeigt und mit steigender Dosis in Sättigung geht. Dieser Zustand wird auf dem reinen Substrat nicht beobachtet. Wir ordnen ihn physisorbiertem CO zu. Er desorbiert unterhalb 100 K. Weitere Desorptionsmaxima folgen bei 130 und 360 K, wobei letzteres ab 250 K von Dissoziation begleitet wird. Auf polykristallinem Bulk-Mangan dissoziiert CO bereits bei 120 K [2]. Auf einem dicken Manganfilm wird der Desorptionspeak bei 360 K nicht beobachtet. Statistisch verteiltes CO auf einem 0,2-ML-Film läuft beim Tempern auf 200 K auf den Mn-Inseln zusammen. Die Diffusion von Mn in den Kristall wird durch die CO-Belegung gehemmt. — [1] T. Flores, M. Hansen, M. Wuttig, Surf. Sci. 279 (1992) 251 – [2] C.N.R. Rao et al., Canad. J. Chem. 63 (1985) 1780.