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Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)

Dienstag, 24. März 1998, 11:15–13:30, H36

11:15 O 14.1 Oxidation von GaAs(100) — •Laurens Verheij
11:30 O 14.2 Eine TDS- und SHG- Untersuchung zur Adsorption und Desorption von Wasserstoff auf Bor-dotierten Siliziumschichten — •G. He"s, B. Gong, P. Parkinson, and J.G. Ekerdt
11:45 O 14.3 Statische und zeitabhängige HREELS-Untersuchungen an
Fe(CO)5 / Si(111) 7x7
— •S. Mühlbauer und H. Froitzheim
12:00 O 14.4 Surface structure analisis of O/alkali-metal/Si(111) with XSW — •C. Sánchez-Hanke, A. Hille, V. Eteläniemi, E.G. Michel, and G. Materlik
12:15 O 14.5 Stabilisierung von Si(103): Adsorption von Bi im Vergleich zu Gruppe III-Elementen — •J.H. Zeysing, H. Klar, G. Falkenberg und R.L. Johnson
12:30 O 14.6 Photoelektronenspektroskopie an Lithium auf der naßchemisch präparierten Si(111)-(1×1):H-Oberfläche — •Chr. Weindel, Marilena Carbone, J.J. Paggel, D. Fick und K. Horn
12:45 O 14.7 Untersuchung der dissoziativen Adsorption von molekularem Wasserstoff auf gestuften Si(001)-Oberflächen mit Molekularstrahl und SHG — •M. Dürr, M. B. Raschke und U. Höfer
13:00 O 14.8 Bestimmung der Adsorptionswärme von Wasserstoff auf Si(111) — •M. B. Raschke and U. H"ofer
13:15 O 14.9 Atomar glatte ultradünne Oxidschichten auf Si(113) — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski und Silvia Hinrich
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