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O: Oberflächenphysik
O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)
O 14.1: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 11:15–11:30, H36
Oxidation von GaAs(100) — •Laurens Verheij — IGV, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Die kontrollierte Oxidation einer GaAs(100)-Fläche wird durch eine sauerstoffinduzierte Defektbildung kompliziert, da die Defektbildung sehr empfindlich auf die sich ändernden Bedingungen während der Sauerstoffadsorption reagiert. Diese Defekte, erzeugt durch Sauerstoffmoleküle, ermöglichen es, Sauerstoff atomar auf der Fläche zu adsorbieren. Die maximale Defektdichte ΘDmax, die durch solch eine Reaktion erzeugt werden kann, hängt von der Temperatur ab. Mittels He-streuung kann man die Defekte direkt beobachten ab 430 K und damit ΘDmax(T=440K) zu 0.01 abschätzen. Unterhalb von 440 K macht die Temperaturabhängigkeit von ΘDmax sich bemerkbar durch eine mit abnehmender Temperatur sinkende Wahrscheinlichkeit für atomare Adsorption. Nach jedem Adsorptions-/Desorptionszyklus wird die Fläche rauher. Die durch As4- und Ga2O-Desorption entstehenden Defekte haben, im Gegensatz zu den O2-induzierten, keinen Einfluß auf die Adsorption von atomarem Sauerstoff.