Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)
O 14.2: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:30–11:45, H36
Eine TDS- und SHG- Untersuchung zur Adsorption und Desorption von Wasserstoff auf Bor-dotierten Siliziumschichten — •G. He"s1, B. Gong2, P. Parkinson2, and J.G. Ekerdt2 — 1Institut f"ur Physikalische und Theoretische Chemie, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Egerlandstra"se 3, D-91058 Erlangen — 2Department of Chemical Engeneering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712
Die Untersuchung der Wechselwirkung zwischen Bor und Wasserstoff stellt einen wichtigen Schritt zum Verständnis der Wachstumskinetik von Bor-dotierten Siliziumfilmen dar. Wasserstoffdesorptionsmessungen an Bor-dotierten Siliziumfilmen (1015 – 1020 B/cm3) zeigen, nach Dosierung mit etwa 150 L atomarem Wasserstoff bei 410K, zusätzlich zur wohlbekannten Monohydrid- (795K) und Dihydriddesorption (680K) ein breites Signal zwischen 500 K und 640 K. Die Fläche dieses Tieftemperatursignals wächst mit zunehmender Borkonzentration der Filme und erreicht bei 8*1019 B/cm3 einen Wert, der 1.4 ML entspricht. Um diese Beobachtung zu erklären, schlagen wir vor, da"s atomarer Wasserstoff als “Subsurface Wasserstoff” in die Schicht eindringt und an Borakzeptoren eingefangen wird. Das Tieftemperatursignal kann dann der beginnenden Zersetzung der gebildeten Bor-Wasserstoff Komplexe zugeordnet werden. Die Bildung eines solchen Bor-Wasserstoff Komplexes sollte die elektronische Aktivität der Borakzeptoren passivieren. Dieser Effekt konnte mit Second Harmonic Spektroskopie, aufgrund ihrer Empfindlichkeit für Raumladungsfelder, nachgewiesen werden.