Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)

O 14.5: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 12:15–12:30, H36

Stabilisierung von Si(103): Adsorption von Bi im Vergleich zu Gruppe III-Elementen — •J.H. Zeysing, H. Klar, G. Falkenberg und R.L. Johnson — II. Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Die reine Ge(103)-Oberfläche ist stabil und bildet eine (4x1)-Rekonstruktion aus [1]. Die reine Si(103)-Oberfläche dagegen ist mikroskopisch rauh und weist keine einheitliche Oberflächenrekonstruktion auf. Durch Adsorption der Elemente Al, Ga, In kann die ebene Si(103)-Oberfläche stabilisiert werden [2]. Unsere Untersuchungen zeigen, daß eine ebene Si(103)-Oberfläche auch durch Adsorption des Gruppe V-Elementes Bi erzeugt werden kann. Nach Aufdampfen von 2ML Wismut bei 540^∘C wird eine (1x1)-Rekonstruktion beobachtet, die sich als vollständig Bi-terminierte ideale Si(103)-Oberfläche beschreiben läßt. Diese Rekonstruktion ist völlig analog zu denen, die beim Aufdampfen der Gruppe III-Elemente entstehen. Es treten charakteristische Punktdefekte auf, in deren Umgebung die Elektronendichte verringert ist. Die Bi-stabilisierte Si(103)-Fläche und ihre Punktdefekte wurden mittels Rastertunnelmikroskopie eingehend untersucht. Durch Adsorption von Sb läßt sich die Si(103)-Oberfläche nicht stabilisieren. Im Rahmen des Keating-Modelles wird die Stabilisierung der Si(103)-Oberfläche durch Gruppe III-Elemente und Gruppe V-Elemente verglichen.

[1] L.Seehofer et al., Surf. Sci. 381 (1997) L614

[2] Hang Ji et al., Surf. Sci. 384 (1997) 276