Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)

O 14.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:30–12:45, H36

Photoelektronenspektroskopie an Lithium auf der naßchemisch präparierten Si(111)-(1×1):H-Oberfläche^† — •Chr. Weindel¹, Marilena Carbone², J.J. Paggel¹, D. Fick¹ und K. Horn³ — ¹Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität, D-35032 Marburg — ²Dept. of Chemical Sciences and Technologies, University “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Roma — ³Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Mit Rumpf- und Valenzbandphotoelektronenspektroskopie wurde die Adsorption von Li auf der naßchemisch präparierten Si(111)-(1×1):H bei ca. 100 K untersucht. Aus Si 2p-Rumpfniveauspektren, aufgenommen bei verschiedenen Photonenenergien, lassen sich zum einen die Änderung der Bandverbiegung als auch zusätzliche Komponenten gegenüber der Si(111)-(1×1):H bestimmen. Im Valenzbandbereich wurde eine Dotierungsabhängigkeit der Li-induzierten elektronischen Zustandsdichte in der Bandlücke beobachtet. So wurde bei n-dotierten Proben ein diskreter Li-induzierter Zustand in der Bandlücke 1,2 eV oberhalb des Valenzbandmaximums gefunden, während bei p-dotierten Proben diffuse Emission aus dem Bereich der Bandlücke beobachtet wurde. Der diskrete Elektronenzustand wird als Besetzung des Leitungsbandminimums der Si-Volumenbandstruktur am X₁-Punkt interpretiert, während bei p-dotierten Proben Li-induzierte elektronische Zustände in der Bandlücke erzeugt werden. † Gefördert durch das BMBF unter 05 622 RMA.