Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 14: Adsorption an Oberfl
ächen (II)
O 14.9: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 13:15–13:30, H36
Atomar glatte ultradünne Oxidschichten auf Si(113) — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski und Silvia Hinrich — Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), Walter-Korsing-Straße 2, D-15230 Frankfurt (Oder)
Die Adsorption von O2 auf der thermisch stabilen, atomar glatten Si(113)-Oberfläche führt im Bereich bis zu einer Monolage zu keiner Inselbildung. Das Wechselspiel zwischen Oberflächenspannung, Dichte der freien Bindungen und chemischen Bindungsenergien bewirkt, daß die Oxidbildung auf Si(113) im Vergleich zu Si(001) einfacher abläuft. Dieser Schluß kann aus Untersuchungen mittels der Rastertunnelmikroskopie (STM) und -spektroskopie (STS) gezogen werden, die bei Raumtemperatur und bei 600oC durchgeführt wurden. Im Gegensatz zur Adsorption von O2 auf Si(001) stören weder Defekte noch aus der Oberfläche heraustretende Si-Atome das homogene Schichtwachstum im Submonolagenbereich. Die atomare Glattheit der Si(113)-Oberfläche korreliert mit ihrer hohen Zugspannung, d.h., eine geeignet präparierte Si(001)-Oberfläche mit erhöhter Zugspannung sollte auch eine geringere Rauheit besitzen.