Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 16: Epitaxie und Wachstum (II)

O 16.8: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 13:00–13:15, H44

Wachstum und Struktur von Nb(110) auf α − Al₂ O₃ (1120) — •B. Wölfing, K. Theis-Bröhl und H. Zabel — Institut für experimentelle Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

Dünne Niobschichten, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf Saphirsubstrate aufgebracht werden, erreichen eine weit höhere Kristallqualität als vergleichbare Volumeneinkristalle. Wegen dieser und anderer positiver Eigenschaften eignen sie sich hervorragend als Puffermaterial für das Wachstum weiterer Metallschichtstrukturen. Da die Qualität dieser Schichten wiederum sehr stark an die Niobqualität gekoppelt ist, ist eine systematische Charakterisierung des Wachstumsverhaltens von größter Wichtigkeit. Das Wachstumsverhalten hängt dabei neben den Wachstumsparamtern von der Kristallqualität und der Oberflächenmorphologie des Saphirsubstrates ab. Wie diese Parameter durch Tempern des Substrates beeinflußt werden können, wurde mittels AFM und XRD untersucht. Es zeigt sich, daß beim Temperprozeß hohe und breite glatte Stufen auf der Saphiroberfläche entstehen, die die Strukturbildung der Niobschicht nachhaltig beeinflussen.